美國專利侵權訴訟--專利有效性及專利範圍解釋(一)

於專利侵權訴訟審理期間，專利權人常常會把專利申請項的權利範圍作最大範圍的解釋，以便一方面可以困住(snare)被控訴的物品，同時可以避開先前技術。但是，對專利申請範圍進行解釋時(如果可以解釋的狀況)，那應該只有一種選擇，即解釋時應該避開先前技術(Harris Corp. v. IXYS Corp.)。

在Harris Corp.案中，地方法院採用了專利權人對專利申請範圍的解釋，並核准了簡易判決的聲請。然而於上訴審中，聯邦巡迴法院駁回了申請人的專利申請範圍解釋，認為相對於被控侵權者的解釋，申請人的解釋範圍是比較不可採的(less plausible)。

在Harris Corp.案，爭點技術係關於稱為絕緣柵雙極電晶體(insulated-gate bi-polar transistor, IGBT)的元件，該元件通常使用於控制電流，當電子訊號施加於該元件時，可以相應於(in response to)該訊號控制輸出的電流的大小。當電子訊號施加於該元件，可以使該元件呈通路狀態，使得電流可以通過。而當電子訊號消失時，該元件呈現斷路狀態，阻止電流通過。閘流體(Thyristor)係與絕緣柵雙極電晶體相似的元件，就像是IGBT一樣，當訊號施加在閘流體上，會使得閘流體呈現通路狀態，使得電流可以通過該閘流體。但是，當電子訊號消失，該閘流體仍然呈現通路狀態，因此訊號消失不會關掉電流，該種特性被稱為閂鎖(latching)。另一種電子元件稱為金氧半場效電晶體(Metal Oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)也可用於控制電流。類似於IGBT，當電子訊號出現，會使得金氧半場效電晶體呈現通路狀態，使得電流可以通過該元件。而當訊號被移除後，該電晶體會呈現斷路以中斷電流。MOSFET沒有閘流體的閂鎖特性，但是閘流體可以通過的電流比MOSFET大。IGBT沒有閂鎖的特性，又可以像MOSFET一樣控制電流的通過。在Harris Corp.案中的專利請求項所聲請的標的，係一種類似於IGBT結構的元件。該請求項明確地描述該元件於操作條件下，沒有閘流體的效應。一種先前技術則揭示了與該請求標的相同的結構，但是該結構在超過一額定的電流時，該先前技術結構會發生閂鎖的現象。

訴訟的兩造對於請求項的合理解釋有爭議，被控侵權者主張，由於該專利之結構，該專利申請項應只涵蓋不會發生閂鎖的元件。相反的，專利權人主張，只要元件預期被使用於閘流體額定電流以下，該申請項應包含了具有非閂鎖操作模式及在額定電壓以上會呈現具有閘流體閂鎖特性之電晶體。

聯邦巡迴法院明確地拒絕採用限制性的操作條件的主張，即函蓋的於專利範圍的元件於超出操作條件時不應該展現閘流體的特性。聯邦巡迴法院認為那種解釋是無意義的，更重要的是，聯邦巡迴法院說明專利權人的解釋將導致權利項對於先前技術(具有主張的結構，且於超過操作額定額定電壓以上時會產生閘流體的特性)文義讀取。因此，聯邦巡迴法院認為，因為權利項於可能避開先前技術的情形下，應以避開先前技術的方式被解釋，參酌先前技術的效果使得聯邦巡迴法院認為，被控侵權者的解釋比專利權人的解釋更具可信性。